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J-GLOBAL ID:201801007999056043   Update date: Oct. 21, 2021

Imanishi Masayuki

イマニシ マサユキ | Imanishi Masayuki
Affiliation and department:
Job title: 助教
Research field  (1): Electric/electronic material engineering
Research keywords  (3): point seed ,  Na-Flux method ,  GaN
Research theme for competitive and other funds  (5):
  • 2021 - 2023 Growth technique of high quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
  • 2020 - 2023 Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
  • 2018 - 2020 Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
  • 2017 - マイクロチャネルエピタキシーを用いた高品質・大口径GaN基板の作製
  • 2014 - 2016 Naフラックス法を用いた低反り・低欠陥窒化ガリウムウエハ作製技術の研究開発
Papers (65):
  • Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Hideaki Kitahara, Kazuhiro Toya, Valynn Katrine Mag-usara, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima. Terahertz time-domain ellipsometry with high precision for the evaluation of GaN crystals with carrier densities up to 1020 cm-3. Scientific Reports. 2021. 11. 1. 18129-1-18129-10
  • Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori. Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation. Journal of Crystal Growth. 2021. 570. 126219-11-126219-6
  • T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai. Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 22. 225701-1-225701-19
  • Takahiro Kawamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa. Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt. Computational Materials Science. 2021. 194. 110366-110366
  • Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping. Applied Physics Express. 2021. 14. 5. 055504-1-055504-4
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MISC (10):
  • 今西 正幸. Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2020. 7. 20-21
  • 今西正幸. Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価. 大阪大学低温センターだより. 2020. 170. 2-7
  • 今西正幸. 結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告. Crystal Letters. 2019. 72. 41-41
  • 今西正幸. Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2019. 6. 20-21
  • 今西正幸. あとがき(クリスタルレターズ 1 月号). Crystal Letters. 2019. 70. 63-63
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Patents (19):
  • 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法
  • III族窒化物結晶の製造方法および種基板
  • III族窒化物結晶の製造方法
  • III族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置
  • III族窒化物結晶の製造方法
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Lectures and oral presentations  (156):
  • テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起
    (第50回結晶成長国内会議 2021)
  • 短パルスレーザー照射によるアントラセン結晶核形成の高速度観察
    (第50回結晶成長国内会議 2021)
  • ホウ酸系光学結晶SrB4O7の内部欠陥の抑制
    (第50回結晶成長国内会議 2021)
  • 超低抵抗・低転位密度GaN基板の開発とデバイス応用
    (第50回結晶成長国内会議 2021)
  • ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製
    (第50回結晶成長国内会議 2021)
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Education (3):
  • 2013 - 2016 Osaka University Division of Electrical, Electronic and Information Engineering
  • 2012 - 2013 Osaka University Division of Electrical, Electronic and Information Engineering
  • - 2012 Osaka University
Professional career (1):
  • 博士(工学) (大阪大学)
Work history (5):
  • 2020/10 - 現在 Osaka University Graduate School of Engineering Division of Electrical, Electronic and Information Engineering
  • 2018/04 - 現在 Osaka University Graduate School of Engineering Center for Atomic and Molecular Technologies Assistant Professor
  • 2018 - 2020/09 Osaka University Graduate School of Engineering Division of Electrical, Electronic and Infocommunications Engineering Assistant Professor
  • 2016/09 - 2018/03 Osaka University Graduate School of Engineering Center for Atomic and Molecular Technologies
  • 2016/04 - 2016/08 Osaka University Graduate School of Engineering
Awards (8):
  • 2020/09 - 応用物理学会論文賞 Promotion of lateral growth of GaN crystals on point seeds by extraction of substrates from melt in the Na-flux method
  • 2020/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞 Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長
  • 2020/03 - 公益社団法人 応用物理学会 第80回応用物理学会秋季学術講演会 奨励賞 結晶工学:Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅
  • 2018/04 - 公益財団法人船井情報科学振興財団 船井研究奨励賞 低欠陥・大口径・厚膜GaN結晶を実現するハイブリット成長法の開発
  • 2016/03 - 大阪大学 菅田-Cohen賞(博士)
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Association Membership(s) (3):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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