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J-GLOBAL ID：201801013673074491   Update date: Jul. 13, 2023

MORIYAMA Satoshi

モリヤマ サトシ | MORIYAMA Satoshi
Affiliation and department：
Tokyo Denki University School of Engineering Department of Electrical and Electronic Engineering

About Tokyo Denki University School of Engineering Department of Electrical and Electronic Engineering


Job title： Professor
Homepage URL  (2)： https://researchmap.jp/moriyama_satoshi/?lang=japanese ,  https://researchmap.jp/moriyama_satoshi/?lang=en
Research field  (6)： Nanostructure physics ,  Applied materials ,  Electric/electronic material engineering ,  Nano/micro-systems ,  Electronic devices and equipment ,  Applied physics - general
Research keywords  (12)： 原子層物質 ,  ナノエレクトロニクス ,  量子輸送 ,  量子コンピュータ ,  超伝導 ,  ナノワイヤ ,  カーボンナノチューブ ,  半導体物性 ,  量子ホール効果 ,  量子ドット ,  メゾスコピック系 ,  グラフェン
Research theme for competitive and other funds  (19)：
  • 2018 - 2028 シリコン量子ビットによる量子計算機向け大規模集積回路の実現
  • 2021 - 2025 原子層超格子構造によるトポロジカル伝導の創出と制御
  • 2018 - 2024 シリコン技術に立脚した室温動作スピン量子ビット
  • 2019 - 2022 集積度の飛躍的な向上を目指した有機負性抵抗トランジスタの開発
  • 2020 - 2021 原子層物質ヘテロ積層化技術を用いた相変化メモリデバイスの開発
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Papers (86)：
  • Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota Iizuka, Shigenori Murakami, Koji Ishibashi, Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, and Keiji Ono. Introduction of deep level impurities, S, Se, and Zn, into Si wafers for high-temperature operation of a Si qubit. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}. SC1054-1-SC1054-5
  • Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota Iizuka, Shigenori Murakami, Satoshi Moriyama, Koji Ishibashi, Takahiro Mori, and Keiji Ono. Introduction of deep impurity levels of S and Zn and high temperature single-electron transport in Si tunnel FETs. Extended Abstracts of the 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2022
  • Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama, Shinichi Ogawa. Electron transport tuning of graphene by helium ion irradiation. Nano Express. 2022. 3. 024002
  • Takuya Iwasaki, Motoi Kimata, Yoshifumi Morita, Shu Nakaharai, Yutaka Wakayama, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, and Satoshi Moriyama. Transport properties in folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices under high magnetic fields. Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2021. 445-446
  • Takuya Iwasaki, Satoshi Moriyama, Nurul Fariha Ahmad, Katsuyoshi Komatsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Abdul Manaf Hashim, Yoshifumi Morita, and Shu Nakaharai. Localization to delocalization probed by magnetotransport of hBN/graphene/hBN stacks in the ultra-clean regime. Scientific Reports. 2021. 11. 1. 18845
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MISC (8)：
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Patents (6)：
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Books (3)：
  • 技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘
    技術情報協会 2013
  • 2013 ナノカーボン技術大全
    株式会社電子ジャーナル 2012
  • 量子ドットエレクトロニクスの最前線
    株式会社エヌ・ティー・エス 2011
Lectures and oral presentations  (281)：
  • 二層-二層グラフェン/hBN超格子素子のキャリア輸送特性
    (2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • スピンブロッケードを用いた室温動作量子磁気センサー感度の向上
    (2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • グラフェンpn接合アンテナ構造による光検出素子の作製と評価
    (2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • Introduction of deep impurity levels of S and Zn and high temperature single-electron transport in Si tunnel FETs
    (SSDM 2022, 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022)
  • グラファイト/MoTe<SUB>2</SUB>/グラファイト積層構造の作製と電気伝導特性評価
    (2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
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Professional career (1)：
  • 博士(工学) (東京工業大学)
Committee career (6)：
  • 2022/01 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
  • 2016 - 2016 The 2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016), Program Committee ISCS Subcomittees: Physics, spintronics, and novel device concepts
  • 2013 - 2013 NIMS Conference 2013, Program Committee Committee member
  • 2013 - 2013 NIMS Award 2013, Nomination Working Group Group member
  • 2011/10 - 2012/09 日本物理学会 領域4運営委員
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Awards (8)：
  • 2023/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
  • 2022/04 - IOP Publishing IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
  • 2022/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
  • 2021/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
  • 2008/01 - 理化学研究所 平成17年度採用基礎科学特別研究員成果発表会ポスター賞
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Association Membership(s) (2)：
THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS ,  THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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