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J-GLOBAL ID:201801017969879601   Update date: Mar. 23, 2021

Murakami Eiichi

Murakami Eiichi
Affiliation and department:
Job title: 教授
Research field  (3): Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Electrical power engineering
Research keywords  (5): GOI ,  NBTI ,  TDDB ,  PBTI ,  SiC-MOSFET
Papers (51):
MISC (4):
Patents (6):
Lectures and oral presentations  (28):
  • TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-switching operation
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019)
  • 車載向け半導体デバイス信頼性の基礎
    (SEAJ検査専門委員会主催 技術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果
    (応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETの温度依存(-60-200°C)ドレイン電流モデル
    (応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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Education (2):
  • 1981 - 1983 Waseda University
  • 1978 - 1981 Waseda University
Professional career (1):
  • 博士(工学) (早稲田大学)
Work history (5):
  • 2013/04 - 現在 Kyushu Sangyo University Faculty of Engineering
  • 2010/04 - 2012/10 ルネサスエレクトロニクス 解析評価技術部・歩留技術開発部 部長
  • 2006/10 - 2010/03 ルネサステクノロジ 解析技術開発部 部長
  • 2003/04 - 2006/09 ルネサステクノロジ 信頼性設計G グループマネージャ
  • 1983/04 - 2003/03 日立製作所 中央研究所・半導体グループ 主任研究員・主任技師など
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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