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J-GLOBAL ID：201802210186558008   Reference number：18A1697464

Growth and structural characterization of vanadium selenide thin films grown by molecular-beam epitaxy

分子線エピタキシーにより成長させたセレン化バナジウム薄膜の成長と構造の特性評価

Author (14)： WANG Yue (Univ. Tokyo) ,  NAKANO Masaki (Univ. Tokyo) ,  YOSHIDA Satoshi (Univ. Tokyo) ,  BAHRAMY Mohammad Saeed (Univ. Tokyo) ,  BAHRAMY Mohammad Saeed (RIKEN CEMS) ,  MATSUOKA Hideki (Univ. Tokyo) ,  MAJIMA Yuki (Univ. Tokyo) ,  OHIGASHI Yuta (Univ. Tokyo) ,  KASHIWABARA Yuta (Univ. Tokyo) ,  SAKANO Masato (Univ. Tokyo) ,  ISHIZAKA Kyoko (Univ. Tokyo) ,  ISHIZAKA Kyoko (RIKEN CEMS) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN CEMS)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.18p-224B-6  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *selenide (chalcogenide) ,  *vanadium compound ,  *thin film ,  *MBE growth ,  *structure analysis ,  chalcogenide ,  transition metal compound ,  transition metal dichalcogenide
Semi thesaurus term： *セレン化バナジウム ,  *analysis of structure ,  *molecular beam epitaxy

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (6)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  セレン化 ,  バナジウム ,  薄膜 ,  特性評価