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J-GLOBAL ID：201802210548986477   Reference number：18A0910952

High hole concentration in Mg-doped AlN/AlGaN superlattices with high Al content

高Al含有量のMgドープAlN/AlGaN超格子における高正孔濃度

Author (4)： EBATA Kazuaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NISHINAKA Junichi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANIYASU Yoshitaka (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FH09.1-04FH09.3  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： content (quantity) ,  doping ,  aluminum nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *compound semiconductor ,  *superlattice ,  *carrier density ,  ionization potential ,  band structure ,  band bending ,  *hole concentration ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： AlGaN ,  ionization energy

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (7)： Al含有量 ,  Mg ,  ドープ ,  AlN ,  AlGaN ,  超格子 ,  正孔濃度