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J-GLOBAL ID：201802212214107000   Reference number：18A1883874

強結合モデルによるIII族窒化物半導体量子井戸中の励起子状態と電場効果の理論

Author (2)： ITO KIRARA (宇都宮大 大学院) ,  ISHIDA KUNIO (宇都宮大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.11aPS-35  Publication year： Sep. 21, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： strong coupling model ,  *compound semiconductor ,  *quantum well ,  *exciton ,  *electric field effect ,  terahertz wave ,  electric field ,  gallium nitride ,  indium compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *nitride semiconductor ,  III-V semiconductor ,  high electric field ,  gallium indium nitride
Semi thesaurus term： III-V compound semiconductor ,  strong electric field ,  gallium indium nitride

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Excitons  (BM02120E)

Terms in the title (8)： 強結合 ,  モデル ,  III族 ,  窒化物半導体 ,  量子井戸 ,  励起子 ,  電場効果 ,  理論