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J-GLOBAL ID：201802213304514943   Reference number：18A1903279

Significant effect of Mg-pressure-controlled annealing: non-stoichiometry and thermoelectric properties of Mg_2-δSi_1-xSb_x

Mg圧力制御アニーリングの有意な効果:Mg_2-δSi_1-xSb_xの非化学量論性と熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Kato Daisuke (Toyota Boshoku Corporation, 1-1, Toyoda-cho, Kariya, Aichi 448-8651, Japan. [e-mail]) ,  Iwasaki Kouta ,  Yoshino Masahito ,  Yamada Tomoaki ,  Nagasaki Takanori
Material： Physical Chemistry Chemical Physics  (PCCP)
Volume： 20  Issue： 40  Page： 25939-25950  Publication year： 2018 
JST Material Number： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Non-stoichiometry related to s...

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Thesaurus term： *Antimony ,  thermal conductivity ,  Partial Pressure ,  band structure ,  *Magnesium ,  carrier density ,  *annealing (heat treatment) ,  density functional method ,  electrical conductivity ,  vacancy ,  dopant ,  carrier mobility ,  *nonstoichiometry ,  Seebeck coefficient
Semi thesaurus term： *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Electronic structure of molecules  (BH05010Q) ,  Thermoelectric devices  (NC03090J)

Terms in the title (5)： Mg ,  圧力制御 ,  アニーリング ,  非化学量論性 ,  熱電特性