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J-GLOBAL ID：201802217129881554   Reference number：18A1330527

Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化物の定電圧・電流印加による抵抗スイッチング特性の評価

Author (5)： OHTA Akio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATO Yusuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKIHARA Katsunori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6S1  Page： 06HD05.1-06HD05.4  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanostructure ,  *titanium ,  *silicon oxide ,  *supply ,  electric current ,  *switching ,  chemical composition ,  memory(computer) ,  MIM structure
Semi thesaurus term： *nanodot ,  *voltage application ,  *resistance switching ,  resistive switching memory

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (31)：

• T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 33, 2669 (1962).
• J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 7, 785 (1964).
• I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, H. I. Chung, and J. T. Moon, IEDM Tech. Dig., 2005, p. 587.
• A. Sawa, Mater. Today 11 [6], 28 (2008).
• S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatieva, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).

Terms in the title (8)： Ti ,  ナノドット ,  Si ,  酸化物 ,  定電圧 ,  印加 ,  スイッチング特性 ,  評価