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J-GLOBAL ID：201802217783477594   Reference number：18A0910956

Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy

GaN有機金属気相成長法におけるトリメチルガリウム分解の熱力学的解析

Author (7)： SEKIGUCHI Kazuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIRAKAWA Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  CHOKAWA Kenta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ARAIDAI Masaaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SHIRAISHI Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FJ03.1-04FJ03.4  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *MOCVD ,  *thin film growth ,  *decomposition reaction ,  *analysis ,  thermodynamics ,  *calculation ,  activation energy ,  alkyl group ,  desorption ,  mass spectrometry
Semi thesaurus term： *GAN ,  methyl group ,  *first principles calculation ,  desorption ,  *thermodynamic analysis ,  *organometallic vapor phase epitaxy

JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Decomposition reaction  (CF02080P) ,  Thermodynamics  (BA08040X)

Substance index (1)： Trimethyl gallium

Terms in the title (5)： GaN ,  有機金属気相成長法 ,  トリメチルガリウム ,  分解 ,  力学的解析