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J-GLOBAL ID：201802219065654991   Reference number：18A1698710

自己スパッタ接合法を用いた常温によるSiO₂/Siウェハ直接接合

Author (1)： UTSUMI JUN (三菱重工工作機械)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.19p-432-6  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,  surface acoustic wave device ,  *bonding and joining ,  plasma treatment ,  electron microscopy ,  interface (surface) ,  joint (part) ,  *Si wafer ,  *direct bonding ,  bonded interface ,  Microscopy, Electron, Transmission
Semi thesaurus term： SAW device ,  *room temperature bonding ,  TEM observation

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 自己 ,  スパッタ ,  常温 ,  SiO2 ,  Si ,  ウェハ ,  直接接合