Art

J-GLOBAL ID：201802219117695428   Reference number：18A1700668

高強度THz電場パルスによるGe₂Sb₂Te₅の1次元的結晶成長機構の解明

Author (14)： SANARI YASUYUKI (京大 化研) ,  TACHIZAKI TAKEHIRO (東海大 工) ,  TACHIZAKI TAKEHIRO (京大 iCeMS) ,  SAITO YUTA (産業技術総合研) ,  MAKINO KOTARO (産業技術総合研) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  TOMINAGA JUNJI (産業技術総合研) ,  TANAKA KOICHIRO (京大 iCeMS) ,  TANAKA KOICHIRO (京大 大学院) ,  KANEMITSU YOSHIHIKO (京大 化研) ,  HASE MUNEAKI (筑波大) ,  HIRORI HIDEKI (京大 化研) ,  HIRORI HIDEKI (京大 iCeMS)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21p-212A-6  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *germanium compound ,  antimony compound ,  telluride (chalcogenide) ,  material ,  optical disk ,  amorphous state ,  crystal growth ,  Zener effect ,  *terahertz wave ,  crystallization ,  electromagnetic pulse ,  *phase change material
Semi thesaurus term： Zener tunneling ,  phase change optical disc

JST classification (1)： Structure of amorphous materials in general  (BK04010S)

Terms in the title (5)： 高強度 ,  電場 ,  パルス ,  1次元 ,  結晶成長