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J-GLOBAL ID：201802219701918027   Reference number：18A1699617

シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査

Author (3)： TODO DAICHI (広島大 大学院) ,  HANAFUSA HIROAKI (広島大 大学院) ,  HIGASHI SEIICHIRO (広島大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.20p-221C-3  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  semiconductor device ,  *ohmic contact ,  heat treatment ,  amorphous silicon ,  semiconductor thin film ,  current-voltage characteristic ,  Schottky barrier ,  *contact resistance ,  Aluminum
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  SiC power device

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (3)： 4H-SiC ,  コンタクト ,  調査