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J-GLOBAL ID：201802221348887183   Reference number：18A1697569

第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討

Author (3)： TSUKAHARA YUTA (Saitama Univ.) ,  YAGI SHUHEI (Saitama Univ.) ,  YAGUCHI HIROYUKI (Saitama Univ.)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.18p-234B-6  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  *semiconductor alloys ,  *gallium compound ,  arsenide ,  nitride ,  *band gap ,  calculation ,  density functional method ,  program package ,  zincblende type crystal ,  crystal structure ,  ab initio calculation
Semi thesaurus term： WIEN2k

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (4)： 第一原理計算 ,  混晶 ,  N原子 ,  バンド構造