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J-GLOBAL ID：201802228248899184   Reference number：18A0731873

Deposition and Morphology Change of Silicon from Bromosilane in Electrochemical Process

電気化学的プロセスにおけるブロモシランからのシリコンの析出と形態変化

Author (5)： TOMONO KAZUAKI (関東学院大 理工) ,  YAMAWAKI TAKERU (関東学院大 理工) ,  OGOMA TAKAYOSHI (関東学院大 理工) ,  KAKIHARA SHUNTA (東京理大 理) ,  TAMAKI YOSHINORI (明海大 歯)
Material： 関東学院大学工学総合研究所報  (Bulletin of Institute of Science and Technology. Kanto Gakuin University)
Issue： 46  Page： 27-32  Publication year： Mar. 2018 
JST Material Number： G0426B  ISSN： 0387-2556  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *semiconductor thin film ,  *electrodeposition ,  *temperature dependence ,  *morphology ,  *surface structure ,  indium tin oxide ,  nickel ,  treatment ,  electrochemistry ,  hydrogen bromide ,  chemical analysis ,  electrolytic analysis ,  *energy dispersive X-ray spectrometry ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  Raman spectrometry ,  *waste ,  *silicon bromide ,  *surface analysis
Semi thesaurus term： *surface morphology ,  Electrochemical processes ,  *electrochemical deposition ,  electrochemical analysis ,  *ブロモシラン

JST classification (3)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 電気化学的プロセス ,  シリコン ,  析出