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J-GLOBAL ID：201802229273038127   Reference number：18A1330535

GaN light-emitting device based on ionic liquid electrolyte

イオン液体電解質を用いたGaN系発光素子

Author (3)： HIRAI Tomoaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKANOUE Tomo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6S1  Page： 06HE05.1-06HE05.4  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ionic liquid ,  *electrolyte ,  *gallium nitride ,  *solid state device ,  *photoluminescence ,  transistor ,  Fowler-Nordheim tunneling ,  quantum efficiency ,  *light-emitting device
Semi thesaurus term： external quantum efficiency

JST classification (3)： Other contacts of semiconductors  (BM03086O) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Photodetectors  (NC03083X)

Reference (25)：

• M. Meneghini and G. Meneghesso, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 8, 323 (2008).
• P. Matyba, H. Yamaguchi, G. Eba, M. Chhowalla, L. Edman, and N. D. Robinson, ACS Nano 4, 637 (2010).
• H. L. Filiatrault, G. C. Porteous, and R. Stephen Carmichael, Adv. Mater. 24, 2673 (2012).
• A. Sandström, H. F. Dam, F. C. Krebs, and L. Edman, Nat. Commun. 3, 1002 (2012).
• Q. Pei, G. Yu, C. Zhang, Y. Yang, and A. J. Heeger, Science 269, 1086 (1995).

Terms in the title (4)： イオン液体 ,  電解質 ,  GaN ,  発光素子