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J-GLOBAL ID：201802232018301211   Reference number：18A1883965

ナローギャップ半導体β-US₂の³³S-NMR

Author (13)： SAKAI HIRONORI (原子力機構 先端研) ,  HIGA NONOKA (原子力機構 先端研) ,  HATTORI TAISUKE (原子力機構 先端研) ,  TOKUNAGA YO (原子力機構 先端研) ,  KAMBE SHINSAKU (原子力機構 先端研) ,  TATEIWA NAOYUKI (原子力機構 先端研) ,  HAGA YOSHINORI (原子力機構 先端研) ,  ROSSA P. F. S. (Los Alamos National Lab. (LANL)) ,  THOMPSON J. D. (Los Alamos National Lab. (LANL)) ,  RONNING F. (Los Alamos National Lab. (LANL)) ,  BAUER E. D. (Los Alamos National Lab. (LANL)) ,  KRISHNA S. K. R. (Florida State Univ. (FSU)) ,  REYES A. P. (Florida State Univ. (FSU))
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.11pB202-1  Publication year： Sep. 21, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *NMR ,  metalloid ,  magnetic order ,  paramagnet ,  magnetic anisotropy ,  magnetic field ,  nuclear spin ,  stable isotope ,  *uranium compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  *compound semiconductor ,  inelastic neutron scattering ,  nuclear magnetism ,  negative magnetoresistance
Semi thesaurus term： chalcogenide ,  crossover ,  *narrow gap semiconductor ,  nuclear magnetism ,  negative magnetoresistance ,  *硫黄33NMR

JST classification (2)： NMR of metals  (BM07042I) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (2)： ナローギャップ半導体 ,  NMR