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J-GLOBAL ID：201802232969065704   Reference number：18A0704432

Neuromorphic Systems using Thin-Film Devices

薄膜デバイスを用いたニューロモルフィックシステム

Author (4)： KIMURA MUTSUMI (龍谷大 理工) ,  KIMURA MUTSUMI (奈良先端科学技術大学院大) ,  YAMANE HIROKI (奈良先端科学技術大学院大) ,  NAKASHIMA YASUHIKO (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 492(EMD2017 71-78)  Page： 11-14  Publication year： Mar. 01, 2018 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *parts ,...
Semi thesaurus term： *decreasing of electric power ,...

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JST classification (2)： Brain and nervous system models  (EL02050C) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (3)：

• M. Kimura and T. Matsuda, ′′Neuromorphic Application of Oxide Semiconductors,′′ ECS Trans., vol.79, pp.169-175, 2017.
• M. Kimura, R. Morita, S. Sugisaki, T. Matsuda, T. Kameda, and Y. Nakashima, ′′Cellular Neural Network formed by Simplified Processing Elements composed of Thin-Film Transistors,′′ Neurocomputing, vol. 248, pp. 112-119, 2017.
• M. Kimura, Y. Koga, H. Nakanishi, T. Matsuda, T. Kameda, and Y. Nakashima, ′′In-Ga-Zn-O Thin-Film Devices as Synapse Elements in a Neural Network,′′ IEEE J. Electron Devices Society, vol. 6, pp. 100-105, 2017.

Terms in the title (1)： 薄膜デバイス