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J-GLOBAL ID：201802239075896510   Reference number：18A1699752

Effect of Atomic Layer Deposition Temperature on the Electrical Characteristics of Al₂O₃-passivated Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors

Al₂O₃不動態化アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼす原子層堆積温度の影響

Author (6)： CORSINO Dianne (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  BERMUNDO Juan Paolo (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  FUJII Mami N. (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  TAKAHASHI Kiyoshi (Nippon Aluminum Alkyls, Ltd.) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol.)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.20p-234A-12  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum oxide ,  *passivation ,  gallium compound ,  zinc compound ,  indium oxide ,  *compound semiconductor ,  *thin film transistor ,  electrical property ,  *chemical vapor deposition ,  *temperature
Semi thesaurus term： IGZO(semiconductor) ,  *oxide semiconductor ,  electrical property ,  *ALD ,  *growing temperature

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： Al2O3 ,  不動態化 ,  アモルファス ,  トランジスタ ,  電気的特性 ,  原子層堆積