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J-GLOBAL ID：201802240125705047   Reference number：18A1593003

Electronic imaging of subcritical defect accumulation in single crystal silicon under fatigue loading

疲労荷重下の単結晶シリコンにおける亜臨界欠陥蓄積の電子イメージング【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Kamiya Shoji (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Kongo Akira (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Sugiyama Hiroko (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Izumi Hayato (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Material： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sens Actuators A)
Volume： 279  Page： 705-711  Publication year： 2018 
JST Material Number： B0345C  ISSN： 0924-4247  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： High resolution electron beam ...

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Thesaurus term： electron beam induced current ,  shearing stress ,  repeated load ,  visualization ,  *silicon ,  contrast ,  *image processing ,  electron microscopy ,  fatigue fracture ,  scanning electron microscope ,  notch ,  stress concentration ,  *crystal ,  local stress ,  secondary electron ,  *monocrystal silicon

Author keywords (6)： Single crystal silicon ,  Mechanical fatigue ,  Crystal defect ,  Slip system ,  Resolved shear stress ,  EBIC imaging

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 疲労荷重 ,  単結晶シリコン ,  亜臨界 ,  欠陥 ,  蓄積 ,  電子 ,  イメージング