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J-GLOBAL ID：201802240221760564   Reference number：18A0634009

原子ステップc面サファイア基板上のゲルマネン形成

Author (3)： YASUTA KOSUKE (東北大 大学院) ,  KAWASHIMA TOMOYUKI (東北大 大学院) ,  WASHIO KATSUYOSHI (東北大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.20a-F214-2  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： substrate(plate) ,  *germanium ,  nanosheet ,  surface steps ,  *MBE growth ,  semiconductor material ,  spectral line shift
Semi thesaurus term： Raman shift ,  *Germanene ,  sapphire substrate ,  原子ステップ

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 原子 ,  サファイア基板 ,  ゲルマネン