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J-GLOBAL ID：201802240575730687   Reference number：18A1699758

Effects of Wet O₂ Annealing on the Transfer Characteristics of Solution Processed Amorphous Indium Zinc Oxide Thin-film Transistors

溶液処理非晶質インジウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタの輸送特性に及ぼす湿式O₂アニーリングの影響

Author (5)： JALLORINA Michael Paul A. (NAIST) ,  BERMUNDO Juan Paolo S. (NAIST) ,  FUJII Mami N. (NAIST) ,  ISHIKAWA Yasuaki (NAIST) ,  URAOKA Yukiharu (NAIST)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.20p-234A-18  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： solution growth ,  *spin coating ,  *amorphous semiconductor ,  indium compound ,  zinc compound ,  metal oxide ,  *thin film ,  *thin film transistor ,  characteristic ,  *heat treatment ,  wet oxidation
Semi thesaurus term： indium zinc oxide ,  *oxide thin film ,  transport property ,  annealing effect

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (8)： 溶液処理 ,  非晶質 ,  インジウム ,  亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  輸送特性 ,  O2 ,  アニーリング