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J-GLOBAL ID：201802241044203358   Reference number：18A1074922

Self-Powered Ultraviolet Photodetectors Based on P-Type CuI

p型層としてCuIを用いたSelf-powered紫外線フォトディテクタ

Author (2)： YAMADA NAOMI (中部大) ,  KONDO YUUMI (中部大)
Material： 中部大学総合工学研究所総合工学(Web)  (中部大学総合工学研究所紀要(Web))
Volume： 30  Page： 1-7 (WEB ONLY)  Publication year： Mar. 2018 
JST Material Number： U0212A  ISSN： 0915-3292  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： iodide ,  *copper compound ,  *P-type semiconductor ,  *ultraviolet detector ,  depletion layer ,  photoirradiation ,  photovoltaic effect ,  transport phenomenon ,  charge isolation ,  electroluminescence ,  heterojunction ,  gallium compound ,  zinc compound ,  indium oxide ,  band structure ,  band bending ,  *copper iodide ,  hole transport ,  indium gallium zinc oxide
Semi thesaurus term： IGZO(semiconductor) ,  optical response ,  electron transport layer

JST classification (1)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Terms in the title (3)： CUI ,  紫外線 ,  フォトディテクタ