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J-GLOBAL ID：201802242361735334   Reference number：18A1672539

Research Progress on Resistance Change Device Based on Oxide Materials-Application for Non-volatile Memory and Neuromorphic Device-

酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向-不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用-

Author (4)： SHIMA HISASHI (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  TAKAHASHI MAKOTO (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  NAITO YASUHISA (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  AKINAGA HIROYUKI (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 118  Issue： 173(ICD2018 14-38)  Page： 59-64  Publication year： Jul. 31, 2018 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *oxide ,  *nonvolatile memory ,  *RAM ,  *electric resistance ,  *transition metal compound ,  *neuroscience ,  *imitative behavior ,  high speed ,  consumed electric power ,  tantalum oxide ,  neuron ,  perceptron ,  array circuit ,  memory element ,  current-voltage characteristic ,  electrode material ,  titanium compound ,  nitride
Semi thesaurus term： resistive random access memory ,  resistance random access memory ,  transition metal oxide ,  neuronal morphology ,  low power ,  memory array ,  titanium nitride

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Reference (18)：

• A. Sawa, ′′Resistive switching in transition metal oxides′′, Materials Today 11, 28-36 (2008).
• H. Akinaga and H. Shima, ′′Resistive Random Access Memory (ReRAM) Based on Metal Oxides′′, Proceedings of the IEEE 98, 2237-2251 (2010).
• J. J. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, ′′Memristive devices for computing′′, Naure Nanotech. 8, 13-24 (2013).
• S. Mandal, A. El-Aminl, K. Alexander, B. Rajendran and R. Jha, ′′Novel synaptic memory device for neuromorphic computing′′, Scientific Reports 4, 5333 (2014).
• 中野馨著、′′ニューロコンピュータの基礎′′、コロナ社、1990年.

Terms in the title (6)： 酸化物 ,  抵抗変化 ,  研究 ,  動向 ,  不揮発性メモリ ,  応用