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J-GLOBAL ID：201802244155298606   Reference number：18A0446695

Solution-processed carbon nanotubes based transistors with current density of 1.7 mA/μm and peak transconductance of 0.8 mS/μm

1.7mA/μmとピーク相互コンダクタンス0.8mS/μmの電流密度をもつ溶液処理したカーボンナノチューブに基づくトランジスタ【Powered by NICT】

Author (4)： Zhong Donglai (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing) ,  Xiao Mengmeng (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing) ,  Zhang Zhiyong (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing) ,  Peng Lian-Mao (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： IEDM  Page： 5.6.1-5.6.4  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： High performance field-effect ...

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Thesaurus term： electronics ,  multiplex ,  *current density ,  FET ,  device structure ,  *carbon nanotube ,  optimization ,  *transistor ,  *mutual conductance
Semi thesaurus term： PMOS構造 ,  ゲート長 ,  二重ゲート ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Thermoionic emission and field emission  (BM09020S)

Terms in the title (5)： 相互コンダクタンス ,  電流密度 ,  溶液処理 ,  カーボンナノチューブ ,  トランジスタ