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J-GLOBAL ID：201802244226368119   Reference number：18A1334322

Anomalous single-electron transfer in common-gate quadruple-dot single-electron devices with asymmetric junction capacitances

非対称接合容量を持つ共通ゲート4重ドット単一電子デバイスにおける異常な単一電子輸送

Author (2)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Masato (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6  Page： 064001.1-064001.13  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *asymmetry ,  *capacity ,  *semiconductor device ,  electron ,  voltage ,  *tunnel effect
Semi thesaurus term： gate voltage ,  excess electron ,  *junction capacitance ,  *single electron device

JST classification (2)： Other solid-state devices  (NC03150A) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Reference (28)：

• R. Augke, W. Eberhardt, S. Stähle, F. E. Prins, and D. P. Kern, Microelectron. Eng. 46, 141 (1999).
• T. Koester, F. Goldschmidtboeing, B. Hadam, J. Stein, S. Altmeyer, B. Spangenberg, H. Kurz, R. Neumann, K. Brunner, and G. Abstreiter, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 465 (1999).
• G. J. Evans, H. Mizuta, and H. Ahmed, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5837 (2001).
• R. Nuryadi, H. Ikeda, Y. Ishikawa, and M. Tabe, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 231 (2003).
• R. Nuryadi, H. Ikeda, Y. Ishikawa, and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 86, 133106 (2005).

Terms in the title (6)： 非対称 ,  接合容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子デバイス ,  単一電子輸送