Art

J-GLOBAL ID：201802244902605171   Reference number：18A2206862

Development of Terahertz Technology by Compact Semiconductor Devices

コンパクトな半導体デバイスを用いた テラヘルツ開拓

Author (1)： SUZUKI SAFUMI
Material： 通信ソサイエティマガジン  (B-Plus)
Volume： 12  Issue： 3  Page： 183-189(J-STAGE)  Publication year： 2018 
JST Material Number： L6624A  ISSN： 1884-4863  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *terahertz wave ,  *radio transmission ,  transistor ,  diode ,  quantum cascade laser ,  photodiode ,  resonant tunneling diode ,  *semiconductor device ,  *oscillator ,  receiver ,  *electric circuit
Semi thesaurus term： RF front-end ,  *semiconductor element

JST classification (3)： Radio communication in general  (ND08010L) ,  Oscillation circuits  (NC05020Y) ,  Other electronic circuits  (NC05090X)

Reference (36)：

• (1) M. Tonouchi, “Cutting-edge terahertz technology,” Nat. Photonics, vol.1, pp.97-105, Feb. 2007.
• (2) T. Nagatsuma, “Terahertz technologies: Present and future,” IEICE Electron. Express, vol.8, no.14, pp.1127-1142, July 2011.
• (3) M. Hangyo, “Development and future prospects of terahertz technology,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.54, no.12, 120101, 2015.
• (4) J. Nishizawa, P. Płotka T. Kurabayashi H. Makabe, “706-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy,” Phys. Stat. sol., vol.5, no.9, pp.2802-2804, July 2008.
• (5) H. Eisele, “State of the art and future of electronic sources at terahertz frequencies,” Electron. Lett. ,vol.46, no.26, pp.s8-s11, Dec. 2010.\n

Terms in the title (3)： 半導体デバイス ,  テラヘルツ ,  開拓