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J-GLOBAL ID：201802247232568791   Reference number：18A0632418

Si(111)基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおける微細構造成長

Author (8)： YANO KOSUKE (愛媛大 工) ,  TAKADA KYOHEI (愛媛大 工) ,  PATIL Pallavi (愛媛大 工) ,  SHIMOMURA SATOSHI (愛媛大 工) ,  SHIMIZU YUMIKO (東レリサーチ) ,  NAGASHIMA KAZUKI (九大 先導研) ,  YANAGIDA TAKESHI (九大 先導研) ,  ISHIKAWA FUMITARO (愛媛大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.18p-P8-10  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanowire ,  *gallium arsenide ,  device structure ,  *bismuth compound ,  core-shell structure ,  *MBE growth ,  transmission electron microscope ,  micro structure ,  gallium compound ,  arsenide ,  compound semiconductor ,  recombination(connection)
Semi thesaurus term： *semiconductor nanowire ,  *GaAs ,  hetero-structure ,  molecular beam epitaxy ,  TEM (microscope) ,  non-radiative recombination

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： Si ,  GaAs ,  GaAsBi ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  微細構造 ,  成長