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J-GLOBAL ID：201802248136655930   Reference number：18A1697613

動作電圧制御によるTaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性の向上

Author (4)： SHIMA HISASHI (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  TAKAHASHI MAKOTO (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  NAITO YASUHISA (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  AKINAGA HIROYUKI (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.18p-432-5  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： materials science ,  Electrochemistry ,  variation ,  *tantalum oxide ,  oxide ,  thin film ,  electrical characteristic ,  *voltage ,  *current-voltage characteristic ,  *thin film resistor ,  neural network (biomodel) ,  solid state ionics ,  oxide thin film ,  *operating voltage
Semi thesaurus term： resistance change ,  *Ta oxide ,  *thin film resistor

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Neurocomputers  (JC06010Q)

Terms in the title (3)： 電圧制御 ,  抵抗変化 ,  アナログ