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J-GLOBAL ID：201802250458559922   Reference number：18A0630991

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布

Author (6)： TSUKAMOTO AKIRA (愛媛大 大学院) ,  ITO EIGO (愛媛大 大学院) ,  HIGAKI KOICHIRO (愛媛大 大学院) ,  TANAKA SABURO (愛媛大 大学院) ,  ISHIKAWA FUMITARO (愛媛大 大学院) ,  SHIMOMURA SATOSHI (愛媛大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.17p-F214-12  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  *quantum well ,  *MBE growth ,  gallium compound ,  bismuth compound ,  arsenide ,  Bismuth ,  spatial distribution ,  semiconductor thin film ,  phosphor ,  depth profile ,  energy dispersive X-ray spectrometry
Semi thesaurus term： composition distribution

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸 ,  BI ,  組成分布