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J-GLOBAL ID：201802251350470167   Reference number：18A1697256

非晶質Ge/SiO₂のSn誘起横方向低温(≦200°C)固相成長

Author (6)： KANAKOGI HIROKI (熊本高専) ,  SATO YOSHIKI (熊本高専) ,  NISHIJIMA TAIKI (熊本高専) ,  OGAWA DAISUKE (熊本高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本高専) ,  TSUNODA ISAO (熊本高専)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.18a-235-6  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *tin ,  *germanium ,  *silicon dioxide ,  *solid phase growth ,  thin film ,  optical microscope ,  microscopic Raman spectroscopy ,  treatment ,  *electron irradiation ,  metal catalyst ,  epitaxy
Semi thesaurus term： *tin ,  *germanium ,  *silicon dioxide ,  amorphous thin film ,  chilling treatment ,  *electron beam irradiation ,  lateral growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 非晶質 ,  Ge ,  SiO2 ,  Sn ,  誘起 ,  横方向 ,  低温 ,  固相成長