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J-GLOBAL ID：201802251465617792   Reference number：18A0078470

The prediction for single event latchup sensitivity parameters of digital CMOS ICs based on its technological features

その技術的特徴に基づくディジタルCMOS ICの単一イベントラッチアップ感度パラメータの予測【Powered by NICT】

Author (6)： Rudenkov A.E. (National Research Nuclear University, Moscow, Russia) ,  Akhmetov A.O. (National Research Nuclear University, Moscow, Russia) ,  Bobrovsky D.V. (National Research Nuclear University, Moscow, Russia) ,  Chumakov A.I. (National Research Nuclear University, Moscow, Russia) ,  Yanenko A.V. (National Research Nuclear University, Moscow, Russia) ,  Uzhegov V.M. (FSUO “TSNIIMASH”, Korolyov, Russia)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： MIEL  Page： 287-290  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The paper presents the results...

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Thesaurus term： cross section(area) ,  ion beam ,  *complementary metal oxide semiconductor ,  *digital method
Semi thesaurus term： SEL【シングルイベント】 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： ディジタル ,  CMOS ,  IC ,  イベント ,  ラッチアップ ,  感度 ,  パラメータ ,  予測