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J-GLOBAL ID：201802253313603082   Reference number：18A2042330

Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V

5Vのゲートオフ電圧を用いた100kHzゲートスイッチング動作下のSiC-MOSFETのPBTIの抑制【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Murakami Eiichi (Kyushu Sangyo University; 2-3-1 Matsukadai, Higashi-ku, Fukuoka, Japan, 813-8503) ,  Furuichi Takahiro (Kyushu Sangyo University; 2-3-1 Matsukadai, Higashi-ku, Fukuoka, Japan, 813-8503) ,  Takeshita Tatsuya (Kyushu Sangyo University; 2-3-1 Matsukadai, Higashi-ku, Fukuoka, Japan, 813-8503) ,  Oda Kazuhiro (Kyushu Sangyo University; 2-3-1 Matsukadai, Higashi-ku, Fukuoka, Japan, 813-8503)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 924  Page： 711-714  Publication year： 2018 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Positive bias temperature inst...

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Thesaurus term： surface level ,  *MOSFET ,  conduction band ,  electric power ,  *silicon carbide ,  automobile ,  *voltage
Semi thesaurus term： ゲート電圧 ,  *正バイアス温度不安定性 ,  *SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： Reliability ,  SiC-MOSFET ,  Interface States ,  PBTI ,  Near-Interfacial Trap

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： ゲート ,  スイッチング ,  SiC ,  MOSFET ,  PBTI