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J-GLOBAL ID：201802253621768509   Reference number：18A1017313

Crystal growth dynamics of compound semiconductors by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping

放射光その場X線逆格子マッピングによる化合物半導体の結晶成長ダイナミクス

Author (2)： SASAKI TAKUO (量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門 放射光科学研究セ) ,  TAKAHASHI MASAMITSU (量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門 放射光科学研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 87  Issue： 6  Page： 409-415  Publication year： Jun. 10, 2018 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *synchrotron radiation ,  *X-ray ,  *in situ observation ,  *compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  gallium nitride ,  indium gallium arsenide ,  crystal growth ,  crystallinity ,  strain ,  point defect ,  solar cell ,  tandem solar cell
Semi thesaurus term： *method of structural analysis ,  *reciprocal lattice mapping ,  crystallinity ,  multi-junction solar cell ,  *synchrotron radiation

JST classification (2)： X-ray diffraction methods  (BK01020I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (35)：

• 河村力,松井純爾:応用物理38,365(1969).
• N. Grandjean and J. Massies: Appl. Phys. Lett. 71, 1816 (1997).
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• C.W. Snyder, B.G. Orr, D. Kessler, and L.M. Sander: Phys. Rev. Lett. 66, 3032 (1991).
• R. Beresford, J. Yin, K. Tetz, and E. Chason: J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1431 (2000).

Terms in the title (6)： 放射光 ,  X線 ,  逆格子マッピング ,  化合物半導体 ,  結晶成長 ,  ダイナミクス