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J-GLOBAL ID：201802255194674641   Reference number：18A0632232

反強誘電体薄膜をゲート絶縁膜に用いたMOSFETの電気特性

Author (4)： YAMAGUCHI MASASHI (東大 大学院) ,  GOTO TAKAHIRO (東大 大学院) ,  TAKENAKA MITSURU (東大 大学院) ,  TAKAGI SHIN'ICHI (東大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.18p-G203-4  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gate dielectric film ,  *MOSFET ,  *antiferroelectrics ,  dielectric thin film ,  oxide ,  *hafnium compound ,  zirconium compound ,  current-voltage characteristic ,  hysteresis ,  electric current ,  polarization hysteresis
Semi thesaurus term： オン電流 ,  dielectric hysteresis

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 強誘電体薄膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  MOSFET ,  電気特性