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J-GLOBAL ID：201802255836798033   Reference number：18A0971841

Properties of GaN-based nanopillar-shaped crystals grown on a multicrystalline Si substrate

Si基板上に成長させたGaNベースのnanopillar型結晶の特性【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Fujiwara Atomu (Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, Akita 010-8502, Japan) ,  Sato Yuichi (Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, Akita 010-8502, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 8  Issue： 1  Page： 015004-015004-5  Publication year： 2018 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The growth of gallium nitride-...

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Thesaurus term： solar cell ,  polysilicon ,  polycrystal ,  *crystal ,  *gallium nitride ,  band edge emission ,  structural change ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： 光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (4)： Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  結晶