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J-GLOBAL ID：201802256488835080   Reference number：18A1883217

PbX(X:S,Se,Te)のドハース・ファンアルフェン効果と磁気抵抗

Author (17)： NAKAIMA KENKI (琉球大 大学院) ,  KAWAKATSU SHOYA (琉球大 大学院) ,  KAKIHANA MASASHI (琉球大 大学院) ,  MIYAZATO HAYATO (琉球大 大学院) ,  YAMAKAWA YUI (琉球大 大学院) ,  TATETSU YOSHIYUKI (東京工大 大学院) ,  TATETSU YOSHIYUKI (名桜大) ,  MAEHIRA TAKAHIRO (琉球大 理) ,  KIDA TAKANORI (大阪大) ,  TAHARA TAIMU (大阪大) ,  HAGIWARA MASAYUKI (大阪大) ,  TAKEUCHI TETSUYA (大阪大 低温セ) ,  AOKI DAI (東北大 金属材料研) ,  NAKAMURA AI (東北大 金属材料研) ,  HEDO MASATO (琉球大 理) ,  NAKAMA TAKAO (琉球大 理) ,  ONUKI YOSHICHIKA (琉球大 理)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.10aPS-97  Publication year： Sep. 21, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *magnetic reluctance ,  *de Haas-van Alphen effect ,  *lead sulfide ,  *lead selenide ,  *lead telluride ,  electric resistance ,  Hall effect ,  temperature dependence ,  compound semiconductor

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： PBX ,  Se ,  Te ,  磁気抵抗