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J-GLOBAL ID：201802256705990400   Reference number：18A1879620

First-principles Simulation of Piezoresistivity of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

遷移金属ジカルコゲナイド単分子膜のピエゾ抵抗の第一原理シミュレーション

Author (2)： NAKAMURA Koichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA Koichi (Egypt-Japan Univ. Sci. and Technol., Alexandria, EGY)
Material： Sensors and Materials  (Sens Mater)
Volume： 30  Issue： 9 (2)  Page： 2073-2083  Publication year： 2018 
JST Material Number： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chalcogenide ,  *transition metal compound ,  *electric resistance ,  calculation ,  *electronic structure ,  single shaft ,  *strain ,  doping ,  electrical conductivity ,  carrier density ,  *ratio ,  monolayer ,  ab initio calculation ,  *tensile strain ,  *transition metal dichalcogenide ,  *piezoresistance
Semi thesaurus term： *transition metal dichalcogenide ,  *piezoresistance ,  uniaxiality ,  *gauge factor

JST classification (2)： Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Reference (37)：

• J. A. Wilson and A. D. Yoffe: Adv. Phys. 18 (1963) 193.
• A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, and F. Wang: Nano Lett. 10 (2010) 1271.
• B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis: Nat. Nanotechnol. 6 (2011) 147.
• H. Zeng, J. Dai, W. Yao, D. Xiao, and X. Cui: Nat. Nanotechnol. 7 (2012) 490.
• K. F. Mak, K. He, J. Shan, and T. F. Heinz: Nat. Nanotechnol. 7 (2012) 494.

Terms in the title (5)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子膜 ,  ピエゾ抵抗 ,  第一原理 ,  シミュレーション