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J-GLOBAL ID：201802258992646060   Reference number：18A1880548

電流積分電荷法によるモールド絶縁層の電荷蓄積の評価

Author (7)： TAKADA TATSUO (東京都市大) ,  MIMA MAIMI (東京都市大) ,  HANAZAWA DAIKI (東京都市大) ,  HIJIKATA KIMIO (東京都市大) ,  MIYAKE HIROAKI (東京都市大) ,  TANAKA YASUHIRO (東京都市大) ,  INOUE TAKASHI (エー・アンド・ディ)
Material： 電気電子絶縁材料システムシンポジウム予稿集  (電気電子絶縁材料システムシンポジウム)
Volume： 49th  Page： 57-62  Publication year： Sep. 10, 2018 
JST Material Number： G0398B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  power electronics ,  IGBT ,  layer ,  *insulating material ,  electric insulation ,  electrification(static charge) ,  *space charge ,  insulation test ,  temperature dependence
Semi thesaurus term： *power device ,  *dielectric layer ,  charge accumulation

JST classification (2)： Insulating materials  (NA04030W) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 積分 ,  電荷 ,  モールド ,  絶縁層 ,  電荷蓄積 ,  評価