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J-GLOBAL ID：201802261574810123   Reference number：18A1035169

Voltage control of a magnetic switching field for magnetic tunnel junctions with low resistance and perpendicular magnetic anisotropy

低抵抗と垂直磁気異方性を持つ磁気トンネル接合のための磁気スイッチング磁場の電圧制御【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Tezuka N. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Oikawa S. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Matsuura M. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Sugimoto S. (Department of Materials Sciences, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Nishimura K. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Irisawa T. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Nagamine Y. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan) ,  Tsunekawa K. (Canon Anelva Corporation, Kawasaki, Kanagawa 215-8550, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 8  Issue： 5  Page： 055922-055922-5  Publication year： 2018 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The authors investigated the v...

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Thesaurus term： pinning ,  *voltage control ,  antiferromagnetism ,  *perpendicular magnetic anisotropy ,  *magnetic anisotropy ,  *magnetic field ,  applied voltage ,  *magnetic switching ,  *magnetic tunnel junction
Semi thesaurus term： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (6)： 低抵抗 ,  垂直磁気異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  磁気 ,  スイッチング磁場 ,  電圧制御