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J-GLOBAL ID：201802262792771299   Reference number：18A1698827

規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性

Author (4)： OKURA KAZUMASA (埼玉大 大学院) ,  TAKAMIYA KENGO (埼玉大 大学院) ,  YAGI SHUHEI (埼玉大 大学院) ,  YAGUCHI HIROYUKI (埼玉大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.19p-PA4-25  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  semiconductor thin film ,  surface steps ,  *indium nitride ,  *quantum dot ,  *vicinal surface ,  MBE growth ,  atomic force microscope ,  magnesium oxide ,  substrate (plate) ,  surface terrace ,  condition
Semi thesaurus term： *RF-MBE ,  growth condition

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (9)： 規則配列 ,  InN ,  ドット ,  作製 ,  立方晶 ,  GaN ,  表面ステップ ,  成長条件 ,  依存性