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J-GLOBAL ID：201802264266946237   Reference number：18A0015440

短パルスレーザを用いた高効率深紫外LED実現の為のp-AlGaNのドーパント高活性化,並びに低抵抗電極の形成法の開発

Author (1)： KAMIYA ITARU (豊田工大)
Material： 天田財団助成研究成果報告書  (Report of Grant-Supported Researches the Amada Foundation)
Volume： 30  Page： 174-176  Publication year： Dec. 2017 
JST Material Number： J0694A  ISSN： 2434-0723  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  P-type semiconductor ,  magnesium ,  *doping ,  *activation ,  *laser heating ,  heating
Semi thesaurus term： local heating

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (3)：

• S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• Yoshinobu Aoyagi, Misaichi Takeuchi, Sohachi Iwai, and Hideki Hirayama, AIP Advances 2 (2012) 012177.
• 松本滉大,黒瀬範子,下野貴史,岩田直高,山田郁彦,神谷格,青柳克信, 2017年度秋季応用物理学会発表予定.

Terms in the title (8)： 短パルスレーザ ,  高効率 ,  深紫外LED ,  AlGaN ,  ドーパント ,  活性化 ,  低抵抗 ,  開発