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J-GLOBAL ID：201802265272263613   Reference number：18A0634358

2段階熱処理による結晶Ge/Au/SiO₂積層構造の低温形成

Author (6)： SHIMIZU NOBORU (熊本高専) ,  MORI TAKANORI (熊本高専) ,  OKAMOTO KENTO (熊本高専) ,  SAKAI TAKUYA (熊本高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本高専) ,  TSUNODA ISAO (熊本高専)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.20p-F214-3  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *process(production) ,  *heat treatment ,  *multiple heat treatment ,  *laminate structure ,  *low temperature production ,  *crystal growth ,  *crystal structure ,  *crystal structure analysis ,  Raman spectroscopy ,  *germanium ,  *gold ,  *silicon dioxide ,  solid phase growth ,  *solar cell ,  *computer ,  preferred orientation ,  crystallization ,  vacuum deposition ,  sputtered deposition
Semi thesaurus term： *two-stage process ,  *low temperature formation ,  germanium ,  gold ,  vacuum deposition ,  sputtering deposition method

JST classification (5)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metallic thin films  (BK14030T) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Heating  (PA03040C)

Terms in the title (8)： 段階 ,  熱処理 ,  結晶 ,  Ge ,  Au ,  SiO2 ,  積層構造 ,  低温形成