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J-GLOBAL ID：201802265867944805   Reference number：18A1699616

窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール

Author (3)： KAWASAKI SEIKI (広島大 大学院) ,  HANAFUSA HIROAKI (広島大 大学院) ,  HIGASHI SEIICHIRO (広島大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.20p-221C-2  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  wafer ,  power electronics ,  *RTA ,  plasma jet ,  phosphorus ,  ion implantation ,  activation ,  electrical resistivity ,  *atmospheric pressure plasma jet
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  rapid heat treatment

JST classification (3)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (9)： 窒素 ,  大気圧 ,  プラズマジェット ,  4H-SiC ,  ウェハ ,  不純物 ,  秒 ,  活性化 ,  アニール