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J-GLOBAL ID：201802269471011317   Reference number：18A1609439

Reappraisal of Conduction and Hall Effect Due to Impurity Hubbard Bands in Weakly Compensated n-GaAs

弱補償n-GaAsにおける不純物Hubbardバンドによる伝導とHall効果の再評価【JST・京大機械翻訳】

Author (1)： Kajikawa Yasutomo (Department of Electric and Control Systems Engineering, Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, Matsue 690-8504, Japan)
Material： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys)
Volume： 255  Issue： 8  Page： e1800063  Publication year： 2018 
JST Material Number： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A Hubbard-band model is used f...

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Thesaurus term： *Hall effect ,  *gallium arsenide ,  *impurity ,  donor ,  Hall mobility ,  low temperature ,  hopping conduction ,  Hall coefficient ,  temperature range ,  neutral
Semi thesaurus term： 可変領域ホッピング ,  *再評価 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： GaAs ,  Hall effect ,  hopping conduction ,  impurity band

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (7)： 補償 ,  GaAs ,  不純物 ,  バンド ,  伝導 ,  Hall効果 ,  評価