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J-GLOBAL ID：201802269763112987   Reference number：18A0910874

Characterization technique for detection of atom-size crystalline defects and strains using two-dimensional fast-Fourier-transform sampling Moire method

2次元高速フーリエ変換サンプリングモアレ法を用いた原子サイズ結晶欠陥とひずみ検出のための特性評価技術

Author (8)： KODERA Masako (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Ishikawa, JPN) ,  WANG Qinghua (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  RI Shien (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TSUDA Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIOKA Akira (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Ishikawa, JPN) ,  SUGIYAMA Toru (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Ishikawa, JPN) ,  HAMAMOTO Takeshi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Ishikawa, JPN) ,  MIYASHITA Naoto (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Ishikawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FC04.1-04FC04.7  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *fast Fourier transformation ,  *method ,  *lattice defect ,  detection ,  transmission electron microscope ,  aluminum compound ,  gallium nitride ,  *compound semiconductor ,  device structure
Semi thesaurus term： *sampling moire method ,  *crystal defect ,  strain sensing ,  AlGaN/GaN ,  *III-V compound semiconductor ,  hetero-structure

JST classification (3)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (8)： 2次元 ,  高速フーリエ変換 ,  サンプリングモアレ法 ,  原子 ,  サイズ ,  結晶欠陥 ,  ひずみ検出 ,  特性評価