Art

J-GLOBAL ID：201802275819992619   Reference number：18A0910953

Resonant light emission from uniaxially tensile-strained Ge microbridges

一軸引張歪Geマイクロブリッジからの共鳴発光

Author (5)： ZHOU Peiji (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  XU Xuejun (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUSHITA Sho (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWANO Kentarou (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  MARUIZUMI Takuya (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FH10.1-04FH10.7  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： strain ,  *Germanium ,  semiconductor ,  *bridge circuit ,  *light emission ,  *resonance ,  optical resonator ,  photoluminescence ,  Fabry-Perot resonator ,  reflector (electromagnetic) ,  Q-value ,  uniaxial strain ,  tensile strain
Semi thesaurus term： photoluminescence ,  *micro bridge ,  distributed Bragg reflector

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： 一軸 ,  引張歪 ,  Ge ,  マイクロブリッジ ,  共鳴