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J-GLOBAL ID：201802277975112353   Reference number：18A1951902

Electron-irradiated Induced Change of Minority Carrier Lifetime of GaInP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cell

電子照射GaInP/GaAs/Ge三重接合太陽電池の少数寿命の変化【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Wu Rui (北京師范大学射線束与材料改性教育部重点実験室,北京100875;北京師范大学核科学与技術学院,北京 100875) ,  Wang Junling (北京師范大学射線束与材料改性教育部重点実験室,北京100875;北京師范大学核科学与技術学院,北京 100875) ,  Ling Yunlong (北京師范大学射線束与材料改性教育部重点実験室,北京100875;北京師范大学核科学与技術学院,北京 100875) ,  Wang Rong (北京師范大学射線束与材料改性教育部重点実験室,北京100875;北京師范大学核科学与技術学院,北京 100875)
Material： Yuanzineng Kexue Jishu  (Atomic Energy Science and Technology)
Volume： 52  Issue： 8  Page： 1507-1511  Publication year： 2018 
JST Material Number： C2078A  ISSN： 1000-6931  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  fluence ,  radiation efficiency ,  *bonding and joining ,  *battery ,  normalization ,  *solar cell ,  *electron irradiation ,  emission intensity ,  *gallium indium phosphide
Semi thesaurus term： 光ルミネセンススペクトル ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (3)： Antigens,antibodies,complements in general  (ED04010A) ,  Bioassay  (EA03060N) ,  Radioactive wastes  (MB05000Y)

Terms in the title (6)： 電子照射 ,  GaInP ,  GaAs ,  Ge ,  太陽電池 ,  寿命