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J-GLOBAL ID：201802278995427949   Reference number：18A0630903

Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化

Author (13)： IMURA MASATAKA (物質・材料研究機構) ,  TSUDA SHUNSUKE (物質・材料研究機構) ,  NAGATA TAKAHIRO (物質・材料研究機構) ,  YAMASHITA YOSHIYUKI (物材機構 SPring-8) ,  YOSHIKAWA HIDEKI (物材機構 SPring-8) ,  KOBAYASHI KEISUKE (物材機構 SPring-8) ,  KOIDE YASUO (物質・材料研究機構) ,  YAMAGUCHI TOMOHIRO (工学院大) ,  YAMAGUCHI TOMOHIRO (立命館大) ,  KANEKO MASAMITSU (立命館大) ,  UEMATSU NAO (立命館大) ,  ARAKI TSUTOMU (立命館大) ,  NANISHI YASUSHI (立命館大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.17p-E202-19  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium compound ,  *gallium compound ,  nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  doping ,  Magnesium ,  Indium ,  chemical composition ,  surface quality ,  *electronic state ,  *gallium indium nitride
Semi thesaurus term： *InGaN

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (6)： Mg ,  ドーピング ,  組成 ,  InGaN ,  バルク ,  電子状態