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J-GLOBAL ID：201802279779774633   Reference number：18A1883903

高強度THz電場による相変化材料におけるゼナートンネリング誘起結晶成長の解明

Author (14)： SANARI YASUYUKI (京大 化研) ,  TACHIZAKI TAKEHIRO (東海大 工) ,  TACHIZAKI TAKEHIRO (京大 iCeMS) ,  SAITO YUTA (産業技術総合研) ,  MAKINO KOTARO (産業技術総合研) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  TOMINAGA JUNJI (産業技術総合研) ,  TANAKA KOICHIRO (京大 iCeMS) ,  TANAKA KOICHIRO (京大 大学院) ,  KANEMITSU YOSHIHIKO (京大 化研) ,  HASE MUNEAKI (筑波大) ,  HIRORI HIDEKI (京大 化研) ,  HIRORI HIDEKI (京大 iCeMS)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 2  Page： ROMBUNNO.11aPS-64  Publication year： Sep. 21, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *amorphous state ,  *terahertz wave ,  *Zener effect ,  phase transition ,  *electric field effect ,  *germanium compound ,  antimonide ,  telluride (chalcogenide) ,  *crystallization ,  phase change material ,  high electric field
Semi thesaurus term： Zener tunneling ,  amorphous ,  strong electric field

JST classification (2)： Techniques and equipment of crystal growth  (BK13020B) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 高強度 ,  電場 ,  相変化材料 ,  誘起 ,  結晶成長