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J-GLOBAL ID：201802283215046981   Reference number：18A0312961

Optoelectronic Device Based on Topological Phase Transition

トポロジカル転移制御によるオプトエレクトロニクスデバイス開発

Author (4)： MAKINO KOTARO (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  SAITO YUTA (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  NAKANO TAKASHI (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  TOMINAGA JUNJI (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
Material： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
Issue： 31 12月  Page： 418-425  Publication year： Dec. 2017 
JST Material Number： L5491A  ISSN： 0919-3383  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photodetector ,  *phase transition ,  *terahertz wave ,  insulator ,  band structure ,  Dirac equation ,  band gap ,  germanium base alloy ,  antimony base alloy ,  tellurium base alloy ,  frequency dependence ,  topological insulator ,  topological phase transition
Semi thesaurus term： topological transition

JST classification (1)： Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (3)： トポロジカル転移 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  開発